据3月13日报道，三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，这将稳定制程初期的良率问题，改善性能、功耗，并使得区域改进。
图片来源：Pexels 三星电子12日发布了《三星电子事业报告书》，显示三星将在今年上半年开始量产基于4nm工艺的2.3代芯片。
这是三星电子首次提及4nm后续版本的具体量产时间。相比早期版本的4nm芯片SF4E，第二代和第三代表现出了更好的性能，同时也带来了更低的功耗和更小的面积。
不过，三星电子在SF4E芯片商业化后，在芯片生产的管理上也遇到了一系列困难。最终，由于能耗表现不佳以及产能限制，大客户高通被交给了台积电。
业内人士估计，三星电子目前的4纳米工艺良率可以达到60%，而台积电同类型良率可以达到70~80%。专家认为，三星电子的良率正在快速提升，后续产品的量产也在加速。
随着三星电子在先进工艺上不断突破，在提升性能的同时保证产能，有望在5nm级别以上工艺量产方面进一步与台积电展开竞争。
目前最先进的半导体工艺是3nm级别，但台积电和三星目前的主要产品仍然是4nm和5nm。
市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺销售额占比最高，达到22%，超过6纳米和7纳米工艺的16%工艺以及16、14 和12 纳米工艺。纳米技术的11%。
